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明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管-下管关时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。
“三相电”的概念是：线圈在磁场中旋转时，导线切割磁场线会产生感应电动势，它的变化规律可用正弦曲线表示。如果我们取三个线圈，将它们在空间位置上相差点120度角，三个线圈仍旧在磁场中以相同速度旋转，一定会感应出三个频率相同的感应电动势。由于三个线圈在空间位置相差点120度角，故产生的电流亦是三相正弦变化，称为三相正弦交流电。工业用电采用三相电，如三相交流电动机等。任两相之间的电压都是380VAC，任一相对地电压都是220VAC。


流程总结：将外接电位器的两端分别接变频器的+10V和ACM，将电位器的滑动端接电压输入端I。变频器与外接电位器之间的连接线要选用屏蔽线，且要三线均屏蔽的，如果变频器与外接电位器之间距离超过2米，就要考虑屏蔽线的质量，线径不能小。如果变频器与外接电位器之间距离超过10米，那么在保证屏蔽线的质量和线径下，还需要再套铁管。在保证屏蔽线的质量和线径下套铁管，距离可以超过200米，原则是变频器端，线路压降可以忽略，若压降过大，可以用单芯铜线屏蔽代替屏蔽线。