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下图为相同尺寸和同一转子的两相PM型与三相PM型步进电机的速度—转矩特性。其速度—振动特性如下图所示。转矩特性方面，三相PM型步进电机在高速旋转时转矩较高；振动特性中三相PM型在步进电机低速下比较小；相应的噪音特性与两相PM型电机相比有更大改善。总之，三相PM型步进电机虽然结构比两相PM型步进电机复杂，但性价比更好。下表为试验电机参数，即相同尺寸的两相HB型与三相PM型步进电机的参数。下图为两种电机的速度—转矩特性及其速度-噪音特性：速度—转矩特性两者相差不多，三相PM型电机的噪音特性约低10dB。
对于直流电路里的继电器，设线圈本身的电阻为R0，在线圈上串联电阻R，电阻旁并联电容C如所示。当关K合上时，由于电容的充电电流也要流过线圈，所以短时间内通过线圈的电流比稳态电流I=U/(R0+R)要大，动作也就加快了。如果串联电阻R仍按照线圈的额定电流计算，短时间内的实际电流要超过额定值，不过时间不长，发热并不明显。继电器加速吸合电路的电源电压应该比不用加速电路时高一些，电阻的散热功率应按稳态电流计算。


主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。