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正接时候，R1VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小，2A的电流，功耗为（2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小，选NMOS。NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通。
在变频控制中，目前常用的是三相逆变桥，就像下面的图中一样。三相逆变桥中的U1,U2,V1,V2,W1,W2是控制6个IGBT的驱动信号；而三相逆变桥U,V,W分别接电机的三相绕组的引出端；三相逆变桥的工作原理这里简单介绍一下，逆变桥的上端接的是直流电压的正端，下端接的是直流电压的负端，这里该直流电压为VDC。三相桥由三个桥臂组成，如上图中U1,U2控制的IGBT组成一个桥臂；V1,V2控制的IGBT组成第二个桥臂；W1,VW2控制的IGBT组成第三个桥臂；所以当U1是高电平，且U2是低电平时，上臂的IGBT通，下臂的IGBT关断，这样的话电机的U相对逆变桥的负端电压就约为该逆变桥的直流电压值，即为VDC。


NE555时基电路，为电压比较器和R-S基本触发器的混成电路，可方便地构成单稳态（延时、定时）电路、双稳态（关）电路及无稳态（振荡）电路。其构成电路之简便和应用之广，素有“电路”之称。图NE555时基电路原理框图及引脚功能如上图所示，RRR3对供电Vcc分压，使N1比较器基准端（同相输入端）电压为1/3Vcc，N2基准端（反相输入端）电压为2/3Vcc。芯片5脚为调整端，接入上拉或下拉电阻时，可改变两个基准端电压的高低。