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PID自整定步骤步：在PID向导中完成PID功能配置（要想使用PID自整定功能，PID编程必须用PID向导来完成）。第二步：打PID调节控制面板，设置PID回路调节参数；在Micro/WINSMART在线的情况下，从主菜单工具中点击“PID控制面板”工具，进入PID调节控制面板中。在PID调节面板的h.区查看已选择的PID回路号，在e.区启动手动调节，调节PID参数并点击更新，使新参数值起作用，监视其趋势图，根据调节状况改变PID参数直至调节稳定。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。NPN型三极管在三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。


三个线圈CCCC为Y连接，如用△（三角形）接法也能同样运行。，，A相B相间加电压，两个线圈磁通方向相反如箭头所示。该激磁驱动电路如下图所示。T1~T6为功率管，各相线圈接法，T1~T6的B端为电源端，G端为接地端。T1~T6导通顺序如下表所示，O表示功率管导通，由此给Y接法的3个端子中的两个加正负电压。由于三个线圈的尾端短接，必定使两相绕组顺次激磁，即三相绕组两相激磁驱动。