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在单片机软硬件应用电路中，如果要实现独立的按键输入，在不使用其他的功能辅助IC的情况下，一般一个按键对应一个IO引脚，如果要实现多个独立按键输入，那么就要多个独立IO。如下图所示，普通IO实现的独立按键输入然而，在实际应用的很多场合下，我们往往会碰到单片机IO引脚不够用，或者，需要出于成本等原因，我们不能更换其他多IO的单片机。我们需要实现一个IO实现多个独立按键输入，下图所示的这种方法就是利用单片一个带ADC转换的IO实现多个按键输入检测。
NMOS的实物图和引脚分布如下图所示。什么是肖特基二极管肖特基二极管又叫势垒二极管，是由金属和半导体接触形成的二极管，其特点为：反向恢复时间非常短，为ns级别；正向导通压降非常低：为0.3-0.5V左右；漏电流较大、反向击穿电压比较低；通常用在低压关电源中，以肖特基二极管MBR30100为例，其实物图和结构图如下图所示。该肖特基二极管有三个电极，其中一个公共端是阴极，由两个二极管共阴极构成。关于场效应管的反向并接的二极管的问题?有些场效应管的规格书里原理图上标有一个稳压管符号，为了搞清楚其中的真正情况，我们抽取了几种有该二极管符号的样品进行检测试验，发现有以下两种情况：1.实际是本体的寄生二极管；2集成的肖特基二极管前一种情况，估计是文件时直接将其他文件中的图形复制过来所致。


当输入电压突然由+VF变为-VR时Ｐ区存储的电子和Ｎ区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐渐减少：在反向电场作用下，Ｐ区电子被拉回Ｎ区，Ｎ区空穴被拉回Ｐ区，形成反向漂移电流IR，如下图所示；与多数载流子复合。在这些存储电荷消失之前，ＰＮ结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，ＰＮ结的电阻仍很小，与RL相比可以忽略，所以此时反向电流IR=（VR＋VD）/RL。VD表示ＰＮ结两端的正向压降，一般VRVD，即IR＝VR／RL。