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明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管-下管关时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。
现场交叉作业面的安全风险辨识和分析不足，涉及有关交叉作业的安全技术措施落实不到位，作业过程中检查、协调、监督失效。针对交叉作业，重点好以下防范措施：认真展交叉作业危险点分析工作，针对性的制定预控措施。理清外包单位责任，认真协调不同外包单位的安全关系。认真对存在交叉作业面的外包工程进行危险点分析工作，制定的预控措施并严格落实。加强交叉作业现场监督管理，及时排查作业过程中的安全隐患，并对查出问题及时整改。


关于该本体二级管的特性，在规格书中应该有规格说明的。但请大家注意，是二极管而不是稳压管，不要被稳压管的图形搞晕了。第二种情况，注意，是肖特基二极管，图中标注的符号也不对。有些元件有这样集成的情况，且在其参数表中一定有相关方面的参数说明，即：肖特基二极管的电压电流参数，大家在识别元件时应该注意相关的参数另外还有一种可能，那就是标示的场效应管击穿区的稳压管特征。当然，作为生产厂商，他们对场效应管的这种特性是不会任何保障承诺的。