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换句话说就是，一次绕组通入交流电，感应出交变磁通，这个交变磁通也会通过铁芯穿过二次绕组，那么二次绕组中有交变磁通通过就会产生交流电。如果二次绕组匝数比一次绕组匝数多，就会升压。二次绕组匝数比一次绕组匝数少就降压。匝数相同，一次和二次电压1:1。我国的低压供电系统一般采取三相四线制，中性线接地。三相四线制图供给居民家的电线，一根是相线，另一根是零线，也就是中性线，由于中性线是接地的，所以它是和大地同电位，当人体接触大地同时，再触及相线，就会使电流通过人体，和大地构成回路，造成触电危害。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极。单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是K或A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。


使用程序状态功能监视数据块点击数据块工具栏上的监视按钮，自动切换到“数据视图”显示方式，数据块内的存储单元在线的数值在实际值列中显示，程序状态被后，不能切换“声明视图”方式。结构的生成和使用结构的生成可以在数据块中或逻辑块的声明表中定义结构，下面介绍在数据块中定义的方法，在上面DB3数据块中，再定义一个结构，名为stack的结构由3个不同数据类型的变量组成。如下图所示：在“ARRAY”下面的INT，按回车键，在该单元下面生成一个空白行，在名称输入stack，在类型列单元点右键选择复杂数据类型，选择STRUCT，（也可以直接输入STRUCT），按回车后再改行下面出现新的行，按如图输入。