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电气控制系统一般称为电气设备二次控制回路，不同的设备有不同的控制回路，而且高压电气设备与低压电气设备的控制方式也不相同。主要能为了保一次设备运行的可靠与安全，需要有许多辅助电气设备为之服务，能够实现某项控制能的若干个电器组件的组合，称为控制回路或二次回路。这些设备要有以下能：1，自动控制能：高压和大电流关设备的体积是很大的。

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电源频率：50HZ3，电源相数：3相3线制4，变压器容量：190KVA5，加热器大加热功率：160KW6，高加热温度：1600℃7。电源电压：380VAC±5%2提拉式单晶炉技术参数1加热器高加热电压：60V8。尤其是坩埚支持器下方的空间较大，导致坩埚支持器下方的混合气体不能及时排出，热能消耗量较大，另外，现有技术中，从氩气输入管向炉内充入氩气时，充气气压为1.3x103pa。在向单晶炉内不断充入氩气的同时，还必须用真空泵将混合气体排出炉外，在排气时，混合气体流经炉中的加热器，坩埚支持器等处，后经过炉下端的排气口排出。并与炉内生成的一氧化硅及杂质粉尘混合，由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石墨制成，一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器件上。技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法硅单晶的单晶炉剖面示意图，图1-2 中，l为炉筒，2为保温盖，3为保温盖，4为保温材津牛，5为保温罩，6为 加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为护盘，12为氩气输 入管，11为分布有孔11-1的环形气体分布器，13为排气口。名称：直拉式单晶生长炉的方法直拉式单晶生长炉的方法直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入氩气尤其是坩埚 支持器下方的空间较大，导致坩埚支持器下方的混合气体不能及时排出， 热能消耗量较大，另外，现有技术中，从氩气输入管向炉内充入氩气时， 充气气压为1. 3x 103pa，氩气流量为40L/min，因此其氩气消耗量大，生产 成本较高。